Symulacje atomistyczne termicznego utleniania powierzchni

Celem projektu jest opracowanie metody symulacyjnej służącej do modelowania procesu termicznego utleniania powierzchni krystalicznego krzemu. W szczególności, projekt przewiduje opracowanie od podstaw nowatorskiego protokołu/podejścia symulacyjnego, który łącząc różnorodne metody symulacji w skali atomowej (metoda dynamiki molekularnej oraz metoda Monte Carlo), pozwoli wiarygodnie modelować rozpatrywany proces, uwzględniając wszystkie istotne zjawiska na ten proces się składające (m.in. adsorpcja i dysocjacja cząsteczek O2, dyfuzyjne wnikanie tlenu w podłoże Si, zachodząca w obrębie warstwy wierzchniej powolna/długoczasowa reorganizacja struktury). Projekt przewiduje także przeprowadzenie przykładowych symulacji utleniania powierzchni krzemu oraz przeprowadzenie analizy uzyskanych wyników, ukierunkowanej na odniesienie obrazu uzyskanego z symulacji do aktualnych danych eksperymentalnych. Istotny aspekt stanowi także dobór metody opisu oddziaływań, pozwalającej wiarygodnie opisać energetykę układu Si-O, zważając na mieszaną (kowalencyjno-jonową) specyfikę więzi.