Applications

Celem projektu jest kontynuowanie badań wąskoprzerwowych półprzewodników z grupy IV-VI tj. SnTe, SnSe, oraz podstawieniowych roztworów stałych: (Pb,Sn)Te i (Pb,Sn)Se. Chcemy rozszerzyć nasze dotychczasowe zainteresowanie własnościami różnych nanostruktur IV-VI o badanie możliwości zastosowania struktur kwantowych w przetwarzaniu informacji kwantowej. Chcemy zbadać czy wyjątkowe właściwości fizyczne tych materiałów - silne oddziaływania spin-orbita, wysoka ruchliwość elektronów i skuteczna elektrostatyczna kontrola są w stanie umożliwić redukowanie dekoherencji qubitów spinowych w kropkach kwntowych. Interesują nas także nowe zjawiska kwantowe w urządzeniach nanoskalowych: topologicznie chronione spinowo spolaryzowane prądy w cienkich warstwach i drutach kwantowych oraz możliwość tworzenia stanów Majorany w nanodrutach sprzężonych z nadprzewodnikiem. Stany Majorany rozpatrywane są w literaturze jako nowy typ chronionych topologicznie qubitów kwantowych. Chcemy kontynuować nasze obliczenia dotyczące prądów rdzeniowych w nanodrutach SnTe o zbadanie możliwości tworzenia się takich stanów na końcach drutu. Projekt jest kontynuacją poprzedniego projektu „Właściwości stanów elektronowych krystalicznych izolatorów topologicznych, nanostruktur i defektów”. Rezultaty badań będą publikowane w wiodących czasopismach naukowych i przedstawiane na konferencjach międzynarodowych.